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IXTH30N60L2 IXTQ30N60L2
IXTT30N60L2
100.0
10.0
Fig. 13. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 25oC
R DS(on) Limit
25μs
100μs
100.0
10.0
Fig. 14. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 75oC
R DS(on) Limit
25μs
100μs
1ms
1ms
10ms
10ms
1.0
DC
100ms
1.0
100ms
0.1
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
0.1
T J = 150oC
T C = 75oC
Single Pulse
DC
10
100
1000
10
100
1000
V DS - Volts
? 2009 IXYS CORPORATION, All rights reserved
V DS - Volts
IXYS REF: T_30N60L2(8R)01-20-09-A
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IXTT36P10 功能描述:MOSFET -36 Amps -100V 0.075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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